为什么选择硅电容？
相比传统MLCC，硅电容在多个维度具有显著优势
超高容值密度
多端子产品2μF/mm²业界领先，小尺寸实现大容量
超低ESL/ESR
多端子产品ESL低至2.9pH，ESR仅3.04mΩ
超高稳定性
TTC＜70ppm/℃，无DC Bias效应
长期可靠性
无老化效应，无需预留容值裕量
硅电容 · 四大系列
从高容值到超高频，从低压到高压，完整覆盖各类应用需求
高容值系列规格表
全系列量产料号，支持01005/0201/0402等多种封装尺寸
| 产品型号 | 容值(nF) | 耐压(Vdc) | 尺寸(EIA) | 尺寸(mm) | 端子数 | 厚度(μm) | 状态 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
LHC103SA1K0112 | 10 | 11 | 01005 | 0.4×0.2 | 2 | 100 | 量产 |
LHC105SA4K0032 | 1000 | 3 | 0204 | 0.5×1.0 | 2 | 100 | 量产 |
LHC403SA2K0152 | 40 | 15 | 0201 | 0.6×0.3 | 2 | 100 | 量产 |
LHC503SA2K0042 | 50 | 4 | 0201 | 0.6×0.3 | 2 | 100 | 量产 |
LHC104SA2K0042 | 100 | 4 | 0201 | 0.6×0.3 | 2 | 100 | 量产 |
LHC204SA2K0032 | 200 | 3 | 0201 | 0.6×0.3 | 2 | 100 | 量产 |
LHC402SA2K0502 | 4 | 50 | 0201 | 0.6×0.3 | 2 | 100 | 量产 |
LHC473SA3K0112 | 47 | 11 | 0201L | 0.8×0.6 | 2 | 100 | 量产 |
LHC223SA3K0302 | 22 | 30 | 0201L | 0.8×0.6 | 2 | 100 | 量产 |
LHC124SA5K0152 | 120 | 15 | 0402 | 1.0×0.5 | 2 | 100 | 量产 |
LHC103SA5K0502 | 10 | 50 | 0402 | 1.0×0.5 | 2 | 100 | 量产 |
LHC473SA6K0302 | 47 | 30 | 0402L | 1.2×0.7 | 2 | 100 | 量产 |
LHC503SA2K0047 | 50 | 4 | 0201 | 0.6×0.3 | 7 | 100 | 量产 |
LHC104SA2K0047 | 100 | 4 | 0201 | 0.6×0.3 | 7 | 100 | 量产 |
LHC204SA2K0037 | 200 | 3 | 0201 | 0.6×0.3 | 7 | 100 | 量产 |
LHC354SA7K003C | 350 | 3 | 定制 | 0.62×0.48 | 12 | 75 | 量产 |
LHC205SA8K003Z | 2000 | 3 | 定制 | 1.1×0.96 | 49 | 75 | 量产 |
* 更多型号及定制规格请联系销售代表获取完整选型表
典型应用场景
高压硅电容专为高电压、高可靠性场景设计
激光雷达发射侧脉冲生成
问题：需要高耐压(100V~150V)、小体积、低ESL电容
方案：高压硅电容与激光二极管紧贴放置
✓ 体积更小 · 环路电感更低 · 满足急速启动脉冲需求
高压DC/DC电源
问题：传统电容耐压不足或体积过大
方案：高压硅电容用于输入滤波、RC/RCD吸收
✓ 高耐压 · 小体积 · 提高功率密度
浪涌防护与EMI改善
问题：MLCC易受力微裂，功率环路大EMI明显
方案：硅电容集成到芯片内部，减小环路面积
✓ 杜绝炸机风险 · 改善EMI · 降低调试难度