上海朗矽科技有限公司-小元件大未来
Laun Chip

汽车激光雷达

高压硅电容(100-150V)配合超低ESL设计,适配脉冲驱动电路,提升探测距离与系统可靠性。

激光雷达硅电容集成示意图

硅电容替代传统MLCC方案,应用于激光雷达发射侧脉冲生成电路

为什么需要硅电容?

面向LiDAR的高峰值功率与窄脉宽需求,硅电容凭借极低等效串联电感(ESL)和温度稳定性,替代传统MLCC方案,保障行人探测的安全性。其耐高温特性进一步满足车规级可靠性标准,推动自动驾驶传感器技术升级。

传统MLCC的痛点

局限
  • ESL较高,脉冲响应速度不足
  • 高温环境下容值衰减,可靠性下降
  • 体积大,难以紧贴激光二极管放置
  • 存在微裂风险,车规场景隐患大

硅电容的解决方案

优势
  • 极低ESL,nS级脉冲响应
  • 温度稳定性优异,满足车规级要求
  • 超小体积,紧贴激光二极管放置
  • 无微裂风险,提升系统可靠性
合作与联系

探讨硅基无源器件在您系统中的集成可能

欢迎与应用工程团队交流,评估 3D 硅电容 / 硅电感 / 硅电阻 在 AI 算力、光通信、激光雷达等场景中的技术适配。

联系我们
技术文档支持 工程样品 应用验证 项目对接