高密度硅电容阵列，容值密度达2μF/mm²，ESL低至2.9pH，满足AI算力芯片瞬态响应与去耦需求。

硅电容/硅电阻用于合封集成与电源优化，超薄结构嵌入先进封装，提升SoC能效与小型化。

67GHz+超高频硅电容，支持800G/1.6T光模块的偏置与去耦，降低链路损耗与抖动。

高频硅电容/硅电感，低插损、高Q值，适配射频前端、毫米波与基站子系统，保障5G信号完整性。

高压硅电容（100-150V）配合超低ESL设计，适配脉冲驱动电路，提升探测距离与系统可靠性。