上海朗矽科技有限公司-小元件大未来
Laun Chip

AI/HPC

高密度硅电容阵列,容值密度达2μF/mm²,ESL低至2.9pH,满足AI算力芯片瞬态响应与去耦需求。

硅电容嵌入RDL中介层示意图

硅电容嵌入RDL中介层(Interposer),为高性能计算及AI大芯片提供低阻抗供电路径

为什么需要硅电容?

硅电容嵌入RDL中介层(Interposer),为高性能计算(HPC)及AI大芯片提供低阻抗供电路径。通过抑制电源噪声和减少电压波动,硅电容显著改善PI/SI性能,满足高算力场景下对稳定性和高频响应的严苛需求。

传统MLCC的痛点

局限
  • ESL较大,无法满足AI芯片瞬态大电流需求
  • DC Bias效应显著,高偏压下有效容值不足
  • 封装尺寸大,无法嵌入中介层或靠近芯片
  • 供电路径长,阻抗高,影响电源完整性

硅电容的解决方案

优势
  • 嵌入RDL中介层,实现最短供电路径
  • 超低ESL/ESR,纳秒级响应负载变化
  • 超高容值密度,小尺寸实现大容量
  • 无DC Bias效应,容值稳定可靠
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