喜报｜朗矽科技斩获 2026 全国颠覆性技术创新大赛优胜奖！

　　📢 近日，2026 全国颠覆性技术创新大赛总决赛圆满落幕。经过全国近 2000 个项目的层层遴选、现场路演与专家答辩，朗矽科技凭借《面向高性能芯片电源完整性的 3D超薄硅电容》项目，荣获优胜奖。

01 这是一个什么样的平台

　　全国颠覆性技术创新大赛，是国内发掘前沿颠覆性技术、培育未来产业的国家级重要平台，旨在寻找有望开辟全新技术赛道、推动产业变革的创新成果，加速前沿技术转化，支撑高水平科技自立自强。

　　这个平台的门槛有多高？2025年这一届，全国2200余个项目分别在北京、上海、广州、武汉4个赛区分领域角逐，最终仅有99个项目获奖。能否走到最后，取决于四条硬标准：场景强、需求刚、路线深、功能独——应用场景要够前瞻，需求痛点要够刚，技术路线要够深，技术功能还要能独立成立。

02 这颗硅电容，解决的是什么问题

　　本次参赛的3D 超薄硅电容技术，是朗矽科技核心自研成果。依托半导体深槽工艺与 HK 介质材料，实现超高容值密度、超低寄生电感与超薄化集成，解决 AI 算力芯片、高速光模块、高性能 SoC 在先进封装下电源完整性痛点。

　　相比传统 MLCC，在高频、高温场景具备显著优势，可直接嵌入封装基板，支撑芯片近芯去耦，打破海外高端硅基无源器件壁垒，为国产先进封装提供全新器件方案。

03 从工艺攻关，到批量交付

　　从实验室工艺攻关到客户验证、规模化量产，朗矽团队持续扎根半导体无源器件 “无人区”。这份荣誉，是大赛专家对技术颠覆性、产业化潜力的认可，也是对团队长期坚持硬科技自主创新的鼓励。

　　更值得一说的是：作为国家重点研发计划"颠覆性技术创新"重点专项的重要项目发现渠道，大赛获奖项目将被择优推荐至国家及地方颠覆性技术创新专项，并协助对接颠覆性技术创新投资基金。对朗矽而言，这个奖的意义不止于一块奖牌。

　　道阻且长，行则将至。未来，朗矽科技将继续深耕硅基无源器件赛道，持续迭代 3D 硅电容、硅电阻等系列产品，拓展 AI 算力、高速光通信、车规电子等应用场景，推动硅电容国产化落地，以微小元器件，筑牢算力底座，助力我国集成电路产业创新发展。

　　感谢大赛组委会、各位评审专家、合作伙伴与客户的支持！朗矽科技将步履不停，继续奔赴下一场突破。