硅电感规格参数
全系列支持参数定制，满足多样化应用需求
0.25 ~ 100nH
电感范围
＞40@2.4GHz
Q值
＞10GHz
自谐振频率
＜2Ω
直流电阻(DCR)
＞10A
饱和电流
20 ~ 150μm
厚度范围
DC ~ 10GHz
工作频率
-55 ~ 150℃
工作温度
| 产品系列 | 电感值(nH) | Q值@2.4GHz | 自谐振频率(GHz) | DCR(Ω) | 饱和电流(A) | 厚度(μm) | 应用场景 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 高Q值系列 | 0.25 ~ 10 | ＞50 | ＞15 | ＜0.5 | - | ＜100 | 射频匹配、PA前端 |
| 大电流系列 | 10 ~ 330 | ＞30 | ＞5 | ＜5mΩ | ＞10 | ＜100 | 服务器电源、VRM |
| 超薄系列 | 1 ~ 100 | ＞25 | ＞8 | ＜1 | ＞3 | 20 ~ 50 | 埋入式、合封集成 |
| 高频系列 | 0.5 ~ 20 | ＞45 | ＞12 | ＜0.8 | - | ＜80 | 5G通信、毫米波 |
* 更多规格及定制参数请联系销售代表
典型应用场景
硅电感在多个关键场景中发挥重要作用
射频前端匹配
应用：PA输出匹配、LNA输入匹配、滤波网络
作用：提供高Q值电感，降低插入损耗，提升增益
✓ 高Q值 · 低损耗 · 高自谐振频率
服务器电源/VRM
应用：负载点电源(PoL)、电压调节模块(VRM)
作用：大电流滤波，提升电源效率与稳定性
✓ 大电流 · 低DCR · 高效率
先进封装埋入
应用：SiP封装、合封集成、3D封装
作用：超薄结构，节省垂直空间，提升集成度
✓ 厚度＜50μm · 埋入兼容 · 高集成度